半導體封裝材料高壓TSDC熱刺激測試係統的產品原理是什麽？

半導體(ti) 封裝材料高壓TSDC熱刺激測試係統的產(chan) 品原理是什麽(me) ？

產(chan) 品概述：

熱刺激去極化電流（TSDC）技術用於(yu) 預測EMC的HTRB性能。TSDC方法包括極化過程，在該過程中，電介質樣品暴露在高電場強度和高溫環境下。在這種情況下，電荷被分離並在介電材料電子元件中移動。盡管單個(ge) TSDC信號和HTRB性能之間的相關(guan) 性表明，極化峰值越高，TSDC曲線越大，而HTRB性能越差，但這並不能wanquan解釋EMC在發出強放電信號時的某些故障。因此，弛豫時間是解釋外層HTRB失效樣本的另一個(ge) 關(guan) 鍵參數。

關(guan) 於(yu) 環氧塑封料（EMC， Epoxy Molding Compound）TSDC測試技術，為(wei) 華測公司在國內(nei) 較早提及目前已被廣泛應用到較多的半導體(ti) 封裝材料及半導體(ti) 生產(chan) 研發企業(ye) 。已證明此測試方式是有效的，同時加速國產(chan) 化IGBT、MOSFET等功率器件的研發。如無錫凱華、中科科化、飛凱材料等企業(ye) 。

產(chan) 品原理：

TSDC是一種研究電荷存儲(chu) 特性的實驗技術，用於(yu) 確定初始電荷和捕獲電荷的活化能以及弛豫，該方法包括一個(ge) 極化過程，其中介電樣品在高溫下暴露於(yu) 高電場強度下。在此之後，試樣在外加電場的作用下迅速進行冷卻。以這種方式，電荷被分離並固定在介電材料駐極體(ti) 內(nei) 。然後進行升溫將駐極體(ti) 內(nei) 的電荷進行釋放，同時配合測量儀(yi) 器進行測量，並為(wei) 科研人員進行分析。通過TSDC測試方法研究了EMC對功率半導體(ti) HTRB可靠性的影響，了解到EMC在高溫、高壓條件下會(hui) 發生電極化或電取向。此外，依賴於(yu) 在相應的冷卻環境中維持其極化狀態，它會(hui) 幹擾MOS-FET半導體(ti) 中反轉層的正常形成。通過TSDC試驗，我們(men) 還了解了在可靠性測試中由於(yu) 應用條件而導致的材料內(nei) 部極化電荷的數量也是一個(ge) 重要的影響因素。

產(chan) 品參數：

設備型號：HC-TSC

溫度範圍：-185 ~ 600°C

控溫精度：±0.25°C

升溫斜率：10°C/min（可設定）

測試頻率：最大電壓：±10kV

加熱方式：直流電極加熱

冷卻方式：水冷

樣品尺寸：φ＜25mm，d＜4mm

電極材料：黃銅或銀;

夾具輔助材料 ：99氧化鋁陶瓷

低溫製冷：液氮

測試功能 ：TSDC

數據傳(chuan) 輸：RS-232  

設備尺寸 ：180 x 210 x 50mm