鐵電存儲器的工作原理

鐵電存儲(chu) 技術是在1921年早被科學家提出，一直到1993年，美國Ramtron公司才成功開發出第yi個(ge) 容量隻有4Kb的鐵電存儲(chu) 器產(chan) 品。發展到了現在，如今市麵上幾乎的鐵電存儲(chu) 器產(chan) 品都是由美國鐵電公司製造或*製造。

鐵電存儲(chu) 器在不需要電壓的情況下就可以保持數據，而且也不需要像DRAM那樣周期性的刷新。那麽(me) 鐵電存儲(chu) 器是如何來實現數據存儲(chu) 的呢？這是利用了鐵電晶體(ti) 的鐵電效應。什麽(me) 是鐵電效應?鐵電效應是指，將一定的電場強度施加在鐵電晶體(ti) 上時，晶體(ti) 中心原子在電場力的作用下產(chan) 生運動，並且達到一種穩定的狀態；當電場從(cong) 鐵電晶體(ti) 移走後，中心原子依然會(hui) 保持在原來的位置上。這是因為(wei) 晶體(ti) 的中間層是一個(ge) 高能階，中心原子在沒有獲得外部能量的情況下不能越過高能階到達另一穩定位置。

由於(yu) 鐵電效應是鐵電晶體(ti) 所固有的一種偏振極化特性，與(yu) 電磁作用沒有關(guan) 聯，所以鐵電存儲(chu) 器的內(nei) 容不會(hui) 受到外界條件（比如磁場因素）的影響，能夠同普通ROM存儲(chu) 器一樣具有非易失性的存儲(chu) 特性。鐵電存儲(chu) 器速度快，能夠像RAM一樣操作，讀寫(xie) 功耗極低，不存在大寫(xie) 入次數的問題；不過受到鐵電晶體(ti) 特性的製約，鐵電存儲(chu) 器仍有大訪問次數（也就是讀出次數）的限製。