存儲器及其分類

存儲(chu) 器

存儲(chu) 器從(cong) 一開始發展就受到了人們(men) 很多的關(guan) 注。其一，它的集成度和集成電路的工藝技術都代表著當代的*高水平；其二，半導體(ti) 存儲(chu) 器的產(chan) 量是*大的，並且使用麵在整個(ge) 集成電路家族中也是*廣。

數字存儲(chu) 器發展到了今天，已經有了很多不同的種類，其中占主導地位的是DRAM（dynamic random access memories)，而人們(men) 視線*集中的就是近幾年有著快速發展的FRAM。隨著各種新的技術在電子信息技術領域的迅速發展，人們(men) 對高性能的存儲(chu) 器的需求也隨之變大。一種的存儲(chu) 器成為(wei) 這個(ge) 領域*具有發展潛力的產(chan) 品，它有著十分快速的寫(xie) 入速度，並且有著功耗低、操作電壓低、讀寫(xie) 次數不受限製以及抗輻射等*的性能。

它就是鐵電存儲(chu) 器——被譽為(wei) 存儲(chu) 器*”。它可以在芯片電源忽然斷開的情況下也可保留存儲(chu) 在存儲(chu) 器中的信息[1]。這種技術在領域，可用於(yu) 手機、PDA和衛星通信係統等。

在低端的技術領域，鐵電存儲(chu) 器已經大量應用於(yu) smart card、nmp3和各類播放器中。

存儲(chu) 器的分類

傳(chuan) 統的主流半導體(ti) 存儲(chu) 器可以分為(wei) 兩(liang) 類：易失性存儲(chu) 器RAM(Random Access Memory)和非易失性存儲(chu) 器PRAM（Phase-change Random Access memory)。易失性存儲(chu) 器RAMRandomAccess Memory)的全名為(wei) 隨機存取記憶體(ti) ，它在任何時刻都是可以讀寫(xie) 的，RAM一般是作為(wei) 操作係統或者其它正在運行的程序臨(lin) 時的存儲(chu) 地點（可稱作內(nei) 存）。它的功能就相當於(yu) 計算機上的移動存儲(chu) 設備，用來保存數據的。RAM型存儲(chu) 器有著使用方便，性能高的優(you) 點，但缺點也很明顯，就是當係統電源突然斷開的時候，係統將無法保存數據。如果想要需要保存數據的話，就必須把它們(men) 寫(xie) 入到一個(ge) 長期的存儲(chu) 器中（例如硬盤）。這也就是RAM被稱作“可變存儲(chu) 器”的原因。

而另外一種非易失性存儲(chu) 器（nonvolatile memory)則不存在突然斷電丟(diu) 失數據的問題，也不用定期地刷新存儲(chu) 器內(nei) 容。這包括形式的隻讀存儲(chu) 器（ROM），在這之中包括可編程隻讀存儲(chu) 器（PROM）、可擦可編程隻讀存儲(chu) 器（EPROM）、可擦除隻讀存儲(chu) 器（EEPROM）和閃存。它也包括電池供電的隨機存取儲(chu) 存器（RAM）。隻讀存儲(chu) 器（ROM）技術幾乎都來自於(yu) 主流的非易失性存儲(chu) 器的技術。正如字麵上的意思一樣，被稱為(wei) 隻讀存儲(chu) 器（ROM）就肯定不容易進行寫(xie) 入操作，在實際的情況下隻讀存儲(chu) 器（ROM）是根本不能寫(xie) 入[2-3]。由ROM技術研究開發出的存儲(chu) 器也都具有進行寫(xie) 入操作困難的弊端。這些技術包括有EPROM、EEPROM和Fhsh。這些存儲(chu) 器不但寫(xie) 入速度慢，寫(xie) 入時功耗也很大，而且隻能擦寫(xie) 有限的次數。