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基礎信息Product information
產品名稱:

華測壓電陶瓷高壓極化裝置(多通道)

產(chan) 品型號:

廠商性質:生產(chan) 廠家

所在地:北京市

更新日期:2024-11-02

產(chan) 品簡介:

華測壓電陶瓷高壓極化裝置(多通道),超低紋波、線性高壓直流電源;更科學穩定的加熱電極,並配合計算機控製實現的多功能極化的裝置

產品特性Product characteristics
品牌華測

華測壓電陶瓷高壓極化裝置(多通道)



壓電材料高壓極化裝置采用華測公司研發的超低紋波、線性高壓直流電源;科學穩定的加熱電極,並配合計算機控製實現的多功能極化的裝置。還可以進行擴展更多的功能。它以穩定的測量指標在材料極化過程中電場分布更加均勻,極化效果較好。



1、電壓作用時間  

電壓作用時間越長,擊穿電壓越低,若外施電壓作用時間很短時(如0.1s),固體(ti) 電介質被擊穿,這個(ge) 時候時間太短,熱、化學等影響還不明顯,這種擊穿很可能是電擊穿。若電壓作時間時間較長時(如幾分鍾到數小時)發生擊穿,則熱擊穿往往起決(jue) 定性的作用。實際上各種擊穿形式之間的界限並不清晰,如在交流1min耐壓試驗中發生的擊穿,則常常是因為(wei) 電和熱的雙重作用。若在電壓作用時間長達幾個(ge) 小時或更長的時間發生擊穿,大多數定義(yi) 為(wei) 化學擊穿。注意:很多材料短時擊穿電壓很高,但他們(men) 耐受局部放電的能力比較差。因此長時間的電氣強度很低的。這一點一定要引起重視。

2、溫度  

當環境溫度低於(yu) 某個(ge) 值時,材料的擊穿電壓很高而且與(yu) 溫度幾乎無關(guan) ,此時若發生擊穿就屬於(yu) 電擊穿,當溫度高於(yu) 轉折溫度的拐點時,隨著溫度越高,聚乙烯的擊穿場強迅速下降,這種擊穿屬於(yu) 熱擊穿。

3、電場均勻程度  

在均勻電場中,在電擊穿的範圍內(nei) ,因固體(ti) 的電介質擊穿強度與(yu) 厚度幾種無關(guan) ,擊穿電壓與(yu) 厚度呈線性關(guan) 係,而在熱擊穿範圍,電介質越厚,平均擊穿場強就越低。在不均勻電場中,電介質的厚度的增加也導致電場不均勻度增加。因為(wei) 散熱條件變差,擊穿的電壓不再隨電介質的厚度的增加呈線性的關(guan) 係。因此當厚度達到一定的程度後,再增加對提高電擊穿的意義(yi) 不大。工程中常用的固體(ti) 絕緣材料內(nei) 部往往有氣孔或其它缺陷,導致內(nei) 部的電場畸變,容易產(chan) 生局放放電,降低了絕緣擊穿電壓。

4、材料品質  

當固體(ti) 電介質承受電壓作用時,介質損耗使電介電發熱、溫度升高;而電介質的電阻具有負溫度係數,所以電流進一步增大,損耗發熱也隨之增加,電介質的熱擊穿是由電介質內(nei) 部的熱不平衡過程所造成的,如果發熱量大於(yu) 散熱量,電介質溫度就會(hui) 不斷上升,形成惡性循環,引起電介質分解、碳化等。從(cong) 而使電氣強度下降,最終導致擊穿。

5、局部放電  固體(ti) 電介質受到電、熱、化學和機械力的長期作用時,其物理和化學性能會(hui) 發生不可逆轉的老化,擊穿電壓逐漸下降,長時間擊穿電壓常常隻有短時擊穿電壓的幾分之一,這種絕緣擊穿為(wei) 電化學擊穿。造成電化的擊穿的原因主要是局部放電。由於(yu) 固體(ti) 電介質內(nei) 問不可避免地存在缺陷(如氣隙),當電場強度超過缺陷區內(nei) 的絕緣材料的擊穿強度時,就會(hui) 在這些區域發生局部放電。局部放電屬非*擊穿,並不立即形成貫穿性的放電通道,但它使電介質的放電處發生化學電離。長期的局部放電使絕緣材料逐步劣化,損傷(shang) 擴大,最終發展到整個(ge) 絕緣擊穿。


三、北京華測高壓極化試驗裝置參數規格:

●極化路數:4路;
●極化電壓:DC 0---12KV;
●溫度範圍:室溫-260°C ;
●控溫精度:±1°C ;
●升溫斜率:1-10℃/min;
●樣品形狀:  方、圓、環等異形件 ;
●樣品尺寸:直徑<20mm,厚度<5mm;
●軟件免費升級。


四、北京華測高壓極化試驗裝置產(chan) 品特點:

●智能化監控,軟件顯示電流變化的曲線,可實時觀察極化過程;
●電壓、時間、溫度同步顯示,實現可視化;
●觸摸屏設計,操作方便、可靠;
●6路同時極化,每路具備檢測、保護、切斷功能和燈光指示;
●每路當漏電流超過規定值時,不影響其它回路,仍可按正常極化時間完成極化;
●升溫與(yu) 恒溫,升溫速度可搞,恒溫時間也可自由設定;
●電磁攪拌裝置,使加熱更均勻;
●采用PID控製矽油加熱,精確控溫,采集更加jing準;


五、北京華測高壓極化試驗裝置主要優(you) 點:

● TVS瞬間抑zhi防護技術: 光耦與(yu) 隔離無非是提高儀(yi) 器的采集的抗幹擾處理,對於(yu) 閃絡放電過程中的浪湧對控製係統的防護起不到任何作用。華測獨立開 發的TVS瞬間抑zhi防護技術,將起到對控製係統的防護。
● 多級循環溫度采集技術: 設備采用PID算法,以及多級循環溫度采集以保證溫度的有效值。控溫和測溫采用同一個(ge) 傳(chuan) 感器,保證樣品每次采集的溫度都 是樣品實際溫度.
● 雙係統互鎖技術及隔離屏蔽技術: 本設備不僅(jin) 具備過壓、過流保護係統,雙係統互鎖機製,當任何元器件出現問題或單係統出現故障時,將瞬間切斷 電源。采用低通濾波電流檢測技術以保證采集電流的有效值 ,以及電流抗幹擾的屏蔽。
● SPWM電子升壓技術 目前進口設備大都采用SPWM電子升壓技術,這一技術具有升壓速度平穩,精度高,便於(yu) 維護等優(you) 點。
● 測試電壓可達到12000V 目前測試電阻率儀(yi) 器測試電壓為(wei) 12000V。可滿足國內(nei) 外材料極化要求,是測試通道數多的檢測設備。







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