HCAM係列10kV、25kV高壓功率放大器設備用於離子注入機係統

HCAM係列10kV、25kV高壓功率放大器設備用於(yu) 離子注入機係統

伟德bv网页版10kV、25kV高壓功率放大器在離子注入機係統中的技術解析與(yu) 工程實踐——國產(chan) 儀(yi) 器在半導體(ti) 製造中的創新突破。

在半導體(ti) 製造領域，離子注入機被譽為(wei) “芯片製造的精密手術刀"，其核心功能是通過高能離子束對晶圓進行原子級摻雜，從(cong) 而精確調控材料的電學特性。作為(wei) 離子注入係統的“心髒"，高壓功率放大器直接決(jue) 定了離子能量的穩定性、注入深度控製精度及係統長期可靠性。伟德app官网下载安卓版苹果（以下簡稱“伟德bv网页版"）自主研發的HCAM係列高壓功率放大器（含10kV、25kV等型號），通過全固態電路設計、四象限動態驅動及超低噪聲控製等創新技術，實現了從(cong) 電壓輸出穩定性（直流精度優(you) 於(yu) 1%）到動態響應能力（轉換速率突破900V/μs）的全麵突破，不僅(jin) 為(wei) 5nm以下先進製程提供了國產(chan) 化解決(jue) 方案，以高精度、高可靠性及靈活定製能力，成為(wei) 推動國產(chan) 離子注入設備性能躍遷的關(guan) 鍵驅動力。

伟德bv网页版高壓功率放大器

一、核心技術：全鏈路精密控製

華測儀(yi) 器HCAM係列高壓功率放大器采用全固態電路設計，摒棄傳(chuan) 統真空管結構，實現免維護運行，顯著降低停機風險。其核心技術優(you) 勢包括：

1. 寬域動態響應

10kV：支持0~±10kV直流/交流峰值輸出，電流達±40mA，小信號帶寬高達25kHz，壓擺率>900V/μs，可快速響應高頻脈衝(chong) 信號（如離子注入的1-100μs脈寬需求。

25kV：0~±25kV（直流或交流峰值），覆蓋離子注入機加速電極的高壓需求。電流驅動能力：0~20mA（直流）或±20mA（峰值，1ms），支持高能離子束的穩定加速。

2. 四象限智能驅動

采用四象限有源輸出技術，可同時吸收或供給電流，適配容性負載（如靜電偏轉板）和阻性負載（如等離子體(ti) 源），避免傳(chuan) 統放大器因負載突變導致的性能波動，提升離子束路徑控製的均勻性。

3. 閉環控製與(yu) 低噪聲特性

通過高精度閉環係統，直流電壓增益精度優(you) 於(yu) 1%，輸出噪聲<1.5Vrms，溫度漂移<100ppm/°C，滿足離子劑量控製（10¹⁰ ions/cm²量級）的超高精度需求。

二、應用場景：從(cong) 實驗室到量產(chan) 的全覆蓋

在離子注入機係統中，華測儀(yi) 器高壓放大器通過多級協同，賦能關(guan) 鍵工藝環節：

1．主加速級能量供給

25kV放大器驅動多級加速電場，賦予離子束數十至數百keV能量，確保先進製程的注入深度與(yu) 濃度一致性。

   2．束流控製與(yu) 掃描係統

靜電偏轉：10kV提供精準電壓，驅動偏轉板實現晶圓表麵混合掃描（機械+電子），減少邊緣效應導致的摻雜不均。

聚焦透鏡供電：低紋波輸出優(you) 化束流聚焦，散射損失降低30%，提升晶圓利用率。

   3．等離子體(ti) 源與(yu) 電荷中和
   為(wei) 離子源電離（如BF₃、PH₃氣體(ti) ）提供高壓，並通過電子槍消除晶圓表麵電荷，防止器件擊穿損傷(shang) 。

   4．材料改性研究

介電彈性體(ti) 測試：施加0~10kV/mm電場，研究材料形變與(yu) 電致伸縮效應，為(wei) 柔性電子器件開發提供數據支持。

鐵電材料極化：通過精準控製極化電場（0~10kV），提升材料剩餘(yu) 極化強度，優(you) 化存儲(chu) 器件性能。

HCAM係列高壓功率放大器還可擴展至材料極化、介電擊穿測試等領域，例如驅動壓電陶瓷薄膜極化、微流控芯片操控等，展現多場景適配能力。

華測儀(yi) 器HCAM係列高壓功率放大器憑借其全固態設計、四象限動態驅動精準調控及模塊化擴展接口等核心技術，已從(cong) 半導體(ti) 製造領域延伸至量子計算、核物理研究、先進材料改性等前沿科研場景，成為(wei) 多學科交叉創新的關(guan) 鍵賦能工具。