憶阻器應用領域包括哪些？

     憶阻器英文名為(wei) memristor, 用符號M表示，與(yu) 電阻R，電容C，電感L構成四種基本無源電路器件，它是連接磁通量與(yu) 電荷之間關(guan) 係的紐帶，其同時具備電阻和存儲(chu) 的性能，是一種新一代高速存儲(chu) 單元，通常稱為(wei) 阻變存儲(chu) 器 (RRAM)。

 憶阻器備受關(guan) 注的重要應用領域包括：非易失存儲(chu) (Nonvolatile memory)，邏輯運算 (Logiccomputing)，以及類腦神經形態計算 (Brain-inspired neuromorphic computing)等。這三種截然 不同又相互關(guan) 聯的技術路線，為(wei) 發展信息存儲(chu) 與(yu) 處理融合的新型計算體(ti) 係架構，突破傳(chuan) 統馮(feng) • 諾伊曼架構瓶頸，提供了可行的路線。

 在憶阻器研究不斷取得新成果的同時，基於(yu) 憶阻器的多功能耦合器件也成為(wei) 研究人員關(guan) 注的熱點。這些新型耦合器件包括： 磁耦合器件、光耦合器件、超導耦合器件、相變憶阻器件、鐵電耦合器件等。