高溫四探針測試儀測試電阻率的原理及優勢

可評估薄膜導電性能的高溫四探針測試儀(yi) 采用直排四探針法設計原理測量。主要用於(yu) 評估半導體(ti) 薄膜和薄片的導電性能，參考美國 A.S.T.M 標準設計。重複性與(yu) 穩定性更好，采用雙屏蔽高頻測試線纜，提高測試參數的精確度，同時抗幹擾力更強。本設備也可應用於(yu) 產(chan) 品檢測以及新材料電學性能研究等用途。

高溫四探針測試儀(yi) 的測量原理：

• 測量電阻率的方法很多，如三探針法、電容-電壓法、擴展電阻法等，四探針法則是一種廣泛采用的標準方法，高溫四探針測試儀(yi) 采用經典直排四探針原理，同時采用了雙電測組合四探針法。

• 經典的直排四探針法測試電阻率，要求使用等間距的探針，如果針間距離不等或探針有遊移，就會(hui) 造成實驗誤差。當被測片較小或在大片邊緣附近測量時，要求計入電場畸變的影響進行邊界修正。

• 采用雙電測組合四探針的出現，為(wei) 提高薄膜電阻和體(ti) 電阻率測量度創造了有利條件。

高溫四探針測試儀(yi) 采用雙電測組合四探針法的優(you) 勢：

可按用戶要求訂製非標產(chan) 品

伟德bv网页版--致力於(yu) 材料電學測試技術