新材料電阻率測定直排四探針法——測量程序及測量條件

新材料電阻率測定直排四探針法——測量程序及測量條件

5測量程序

5.1  測量條件

5.1.1 環境溫度為(wei) 23±5℃ ，相對濕度不大於(yu) 65%.

5.1.2 電磁屏蔽。

5.1.3 高阻試樣應在光屏蔽條件下測量。

5.1.4 試樣中電場強度不能過大，以避免少數載流子注入。如果使用的電流適當，則用該電流的兩(liang) 倍或一半時，引起電阻率的變化應小於(yu) 0. 5%

5.2   確定探針間距與(yu) 探針狀態

5.2.1 將四探針以正常壓力壓在嚴(yan) 格固定的拋光矽片表麵上，形成一組壓痕.提起探針，在垂直於(yu) 探針尖連線方向上移動矽片表麵或探針0. 05~0.10 mm，再將探針壓到矽片表麵上，重複上述步驟，直到獲得10組壓痕。

注：建議在兩(liang) 組或3組壓痕後，將矽片表麵或探針移動上述距離的兩(liang) 倍，以幫助操作者識別壓痕屬於(yu) 哪一組。

5.2.2 將矽片表麵清洗，用空氣幹燥。

5.2.3將此具有壓痕的矽片表麵置於(yu) 工具顯微鏡的載物台上，使y軸的讀數（圖6中的y^B和y^A ）相差不大於(yu) 0.150mm，把在工具顯微鏡中的10組壓痕A到H的x軸讀數記錄在表中，到1μm.

5.2.4   在放大倍數不小於(yu) 400倍的顯微鏡下檢查壓痕。

5.2.5  按6.1條計算探針間距S，平均探針間距S.標準偏差o；和探針係數C。

5.2.6   對於(yu) 合格的探針，必須滿足下述條件。

5.2.6.1 對於(yu) S，來說，3組10次測量值的每一組樣品標準偏差a，應小於(yu) S的0. 30%

5.2.6.2 S₁,S₂和S₃的差應不大於(yu) 2%.

5.2.6.3 每根探針的壓痕應隻出現一個(ge) 接觸麵，大直徑線度小於(yu) 100μm.如果有的壓痕出現不連續的接觸麵，則更換探針並重新測量。

5.2.6.4 在放大倍數為(wei) 400倍的顯微鏡下檢驗時，在與(yu) 矽片表麵的接觸麵上出現明顯的橫向移動的探針是不合格的。該探針係統必須重新調整，以防止上述移動。